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[엔지닉]반도체 8대 공정, 박막 증착 공정

안녕하세요, 동동이입니다😊 엔지닉 반도체 8대공정 빡공스터디 7일차, 식각 공정입니다! 바로 정리 들어가볼까요? 화학 기상 증착(CVD) - 전구체로 부르는 기체 상태의 분자를 기판 표면에 고체 상태의 필름 형태로 변환시키는 화학 반응 - 웨이퍼 표면에 경계층을 통해 반응 가스의 확산하여 이동 → 웨이퍼 표면에 반응물이 흡착 → 표면에서 분해, 반응, 이동, 고착 반응이 일어남 → 웨이퍼 표면에서의 부산물 탈착(기체) → 경계층을 통해 부산물의 확산, 이동 열 화학적 기상 증착(Thermal CVD) 상압(AP) CVD - 400~500 ºC, 대기압 - 증착 속도 LP대비 높음, 설비구조 단순(진공, 플라즈마 필요X) - 생산성 낮음, 균일도 낮음, 불순물 농도 높음, 계단 피복 능력 낮음 저압(LP)..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 21. 00:36
[엔지닉]반도체 8대 공정, 식각 공정

안녕하세요, 동동이입니다. 벌써 엔지닉 반도체 스터디 한 지 한 주가 지나고 두번째 주로 넘어갔네요. 끝까지 열심히 해보겠습니다! 그럼 정리해볼까요? 플라즈마 - 이온화된 기체 / 중성입자 + 전자 + 이온 + 활성종(radical) + Excited 중성종 + 광자 - 전기적 준 중성 상태(Quasi-Neutrality)임. - 진공 Chamber에 반응 Gas를 주입, 강한 전기장이 인가되면 전자가 가속되어 중성원자와 충돌함 이것이 이온화가 되어 새로운 전자가 생성되고, 이온화 연쇄반응을 통해 플라즈마 상태를 유지함 - 이온화 에너지 : 이온화가 일어날 수 있는 최소한의 에너지 전자 에너지는 100eV보다 큰데, 전자의 속도가 너무 빨라 충돌 확률이 적음. (전자가 Ar의 전자에 에너지를 전달할 시간..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 18. 23:48
[엔지닉] 반도체 8대 공정의 첫걸음, 포토 공정

안녕하세요, 동동이입니다😆 엔지닉 반도체 빡공스터디 5일차, 포토 공정입니다. 정리 시작하겠습니다😊 포토 공정 - 반도체 회로 정보를 담고 있는 마스크 상의 패턴을 웨이퍼 상에 도포되어 있는 포토레지스트(Photoresist, PR)에 전사시키는 과정 - PR은 후속 식각 및 이온 주입 공정의 차단막 역할을 함 ※ 양성 PR : 빛을 받은 부분이 현상 시 현상액에 대해 불용성 → 용해성으로 바뀜 음성 PR : 빛을 받은 부분이 Cross-linking이 형성되어 현상 시 불용해됨. 포토 마스크 - 반도체 회로 정보를 담고 있는 정밀한 원판으로 석영(quartz) 기판 위에 증착된 차광막(Cr)에 전기적 회로를 형성화 한 판 - 원재료 (blank mask, Quartz+Cr)에 PR 도포, layout ..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 17. 03:14
[엔지닉] 반도체 8대공정을 이해하자, DRAM(1)

안녕하세요, 동동이입니다😆 오늘은 엔지닉 반도체 빡공 스터디 4일차, DRAM 차례입니다. 그럼 바로 정리해볼까요? + 엇,, 하루에 2개의 차시를 들어야 되는걸 이제 알았네요.. 5일차에 몰아서 듣고 정리해보겠습니다😂 DRAM (Dynamic Random Access Memory) - DRAM의 Cell은 한 개의 NMOS 트랜지스터와 한 개의 커패시터로 구성되어 있음. - 커패시터에 데이터가 저장되기 때문에, 누설전류에 의한 데이터 소실이 일어남. 따라, 주기적으로 Refresh 동작이 필요함. - 전원이 공급되지 않으면 데이터가 소실되는 휘발성 메모리 소자임. DRAM의 Cell Transistor - 비트라인(\(BL\)) : 데이터가 이동되는 통로 역할 - 워드라인(\(WL\)) : 셀 커패시터..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 15. 00:09
[엔지닉] 반도체 8대공정, 메모리 계층도 & SRAM 정리해보자.

안녕하세요, 동동이입니다😊 엔지닉 반도체 8대공정 빡공스터디 3일차에서는 메모리 계층도 & SRAM을 다루네요. 그럼 살짝 정리해볼까요? 메모리 계층도 - SRAM : CPU가 빈번하게 사용하는 데이터를 저장 → 캐시 메모리 메모리 중 가장 빠르며, 휘발성 메모리임. Cell 면적이 커 용량이 낮음. - DRAM : 컴퓨터의 주 메모리 역할을 함. 속도, 용량, 가격이 모두 SRAM과 Nand flash 사이에 위치함. - Nand Flash : 스토리지 메모리 역할을 함. Cell 면적이 작아 용량이 크며, 비휘발성 메모리임. - Cloud Storage : 인터넷 기반으로, 속도가 느리고 보안에 취약함. 비휘발성 메모리임. SRAM(Static Random Access Memory) Cell의 구조 ..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 13. 23:10
[엔지닉] 반도체 8대공정 빡공스터디 2일차, 반도체 기본소자

안녕하세요, 동동이입니다😊 이번 엔지닉 반도체 스터디 2일차는 반도체 기본 소자 파트로, PN 접합 다이오드, MOSFET를 주로 다루네요. 2일차 내용을 간략하게 정리해볼게요. PN 접합 다이오드 P형 반도체와 N형 반도체를 서로 접합한 구조이며, 한쪽 방향으로만 전류가 흘러 정류기로 사용됨. - 평형상태 : 공핍층 형성, 도너와 억셉터 이온에 의한 공간 전하 생성, 전계 발생 → 내부 전위가 발생 - 비평형상태 : 순방향 전압상태 / 역방향 전압상태 순방향 전압상태 : P쪽에 양의 전압 → 공핍층 감소 / 내부 전위 감소 → 전류가 잘 흐름 역방향 전압상태 : P쪽에 음의 전압 → 공핍층 증가 / 내부 전위 증가 → 전류 흐름 없음 MOSFET 구조 및 종류 MOSFET : Metal Oxide Se..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 13. 22:18