대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 검색 결과

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[엔지닉]반도체 8대 공정 마지막, 클리닝 공정

안녕하세요, 동동이입니다. 이번 엔지닉 반도체 빡공스터디 마지막 날인데요! 시험이 겹치는 바람에 9일차랑 10일차는 한꺼번에 몰아 들었네요😂 그럼 마지막 차시 바로 정리해볼게요. 화학적 습식 세정 방법들 - 화학적 습식 세정은 SC1 클리닝과 SC2 클리닝으로 나뉜다 ① SC-1 세정 APM (Ammonium peroxide mixture), 암모니아:과산화수소:물을 1:1:5 혼합, 75~90℃, 10~20 min 과산화수소의 강한 산화작용을 이용 표면 파티클, 유기물질, 일부 금속을 제거 ② QDR (Quick Dump Rinse) SC-1과 SC-2 사이 단계, 초순수로 헹굼. (2~3회) ③ SC-2 세정 (HPM 세정) 염산:과산화수소:물을 1:1:5로 혼합, 75~85℃ 금속불순물 (중금속 및..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 24. 15:48
[엔지닉]반도체 8대 공정, 이온 주입 공정 & CMP 공정

안녕하세요, 동동이입니다. 이번 엔지닉 반도체 빡공스터디 9일차인데요! 시험이 겹치는 바람에 9일차랑 10일차는 한꺼번에 몰아 들었네요😂 그럼 9일차 바로 정리해볼게요. 이온 주입에 의한 손상 문제와 대처 방법 - 실리콘 원자간 결합력보다 훨씬 큰 에너지의 이온이 주입되면, 실리콘 격자 내 원자와 충돌 후 점차적으로 에너지를 잃다가 한 지점에 정지함. 이로 인해 실리콘 원자의 격자 이탈, 결정 결함을 발생시킴 ① 핵 정지 : 도펀트 이온이 격자 내 실리콘 원자의 핵과 충돌 양이온과 핵 간 척력에 의한 산란 → 결정 구조의 손상 ② 전자 정지 : 격자 내 실리콘 전자에 의한 인력에 의함 에너지 전달이 작아 결정 구조 손상이 거의 없음 - 어닐링 (Annealing) : 열처리는 결함 제거의 목적 + 실리콘..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 24. 15:39
[엔지닉]반도체 8대 공정, 금속 배선 공정과 산화공정

안녕하세요, 동동이입니다😊 반도체 8대공정 빡공스터디 8일차, 금속 배선 공정과 산화공정인데요. 빠르게 미션정리만 하고 넘어갈게요! 구리 배선 채택 이유 - 소자가 미세해짐에 따라, 게이트 지연은 감소하지만, 배선에 의한 지연은 급격히 증가함 - 회로 지연의 주 원인은 금속 배선의 단면적 감소와, 금속 배선 간 간격의 감소임. (저항 증가, 기생 정전용량 증가) - 따라, 알루미늄 보다 낮은 비저항을 이용해, 성능을 향상시킴 - 구리 배선은 선폭이 좁아 금속 배선 층수를 줄일 수 있음 - 구리는 알루미늄 대비 전자이동 특성이 우수하고 비등점 및 격자/입자 경계 확산 활성화 에너지가 높음 구리 배선 문제점 및 해결책 ① 식각이 어려움 - 식각 시 휘발성 있는 반응 부산물로 만들어 제거해야 하지만, 구리 배..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 21. 09:30
[엔지닉]반도체 8대 공정, 박막 증착 공정

안녕하세요, 동동이입니다😊 엔지닉 반도체 8대공정 빡공스터디 7일차, 식각 공정입니다! 바로 정리 들어가볼까요? 화학 기상 증착(CVD) - 전구체로 부르는 기체 상태의 분자를 기판 표면에 고체 상태의 필름 형태로 변환시키는 화학 반응 - 웨이퍼 표면에 경계층을 통해 반응 가스의 확산하여 이동 → 웨이퍼 표면에 반응물이 흡착 → 표면에서 분해, 반응, 이동, 고착 반응이 일어남 → 웨이퍼 표면에서의 부산물 탈착(기체) → 경계층을 통해 부산물의 확산, 이동 열 화학적 기상 증착(Thermal CVD) 상압(AP) CVD - 400~500 ºC, 대기압 - 증착 속도 LP대비 높음, 설비구조 단순(진공, 플라즈마 필요X) - 생산성 낮음, 균일도 낮음, 불순물 농도 높음, 계단 피복 능력 낮음 저압(LP)..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 21. 00:36
[엔지닉]반도체 8대 공정, 식각 공정

안녕하세요, 동동이입니다. 벌써 엔지닉 반도체 스터디 한 지 한 주가 지나고 두번째 주로 넘어갔네요. 끝까지 열심히 해보겠습니다! 그럼 정리해볼까요? 플라즈마 - 이온화된 기체 / 중성입자 + 전자 + 이온 + 활성종(radical) + Excited 중성종 + 광자 - 전기적 준 중성 상태(Quasi-Neutrality)임. - 진공 Chamber에 반응 Gas를 주입, 강한 전기장이 인가되면 전자가 가속되어 중성원자와 충돌함 이것이 이온화가 되어 새로운 전자가 생성되고, 이온화 연쇄반응을 통해 플라즈마 상태를 유지함 - 이온화 에너지 : 이온화가 일어날 수 있는 최소한의 에너지 전자 에너지는 100eV보다 큰데, 전자의 속도가 너무 빨라 충돌 확률이 적음. (전자가 Ar의 전자에 에너지를 전달할 시간..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 18. 23:48
[엔지닉] 반도체 8대 공정의 첫걸음, 포토 공정

안녕하세요, 동동이입니다😆 엔지닉 반도체 빡공스터디 5일차, 포토 공정입니다. 정리 시작하겠습니다😊 포토 공정 - 반도체 회로 정보를 담고 있는 마스크 상의 패턴을 웨이퍼 상에 도포되어 있는 포토레지스트(Photoresist, PR)에 전사시키는 과정 - PR은 후속 식각 및 이온 주입 공정의 차단막 역할을 함 ※ 양성 PR : 빛을 받은 부분이 현상 시 현상액에 대해 불용성 → 용해성으로 바뀜 음성 PR : 빛을 받은 부분이 Cross-linking이 형성되어 현상 시 불용해됨. 포토 마스크 - 반도체 회로 정보를 담고 있는 정밀한 원판으로 석영(quartz) 기판 위에 증착된 차광막(Cr)에 전기적 회로를 형성화 한 판 - 원재료 (blank mask, Quartz+Cr)에 PR 도포, layout ..
대외활동/엔지닉 반도체 빡공스터디 2022. 4. 17. 03:14