[엔지닉]반도체 8대 공정 마지막, 클리닝 공정

안녕하세요, 동동이입니다.
이번 엔지닉 반도체 빡공스터디 마지막 날인데요!
시험이 겹치는 바람에 9일차랑 10일차는 한꺼번에 몰아 들었네요😂
그럼 마지막 차시 바로 정리해볼게요.

10일차 인증

화학적 습식 세정 방법들
- 화학적 습식 세정은 SC1 클리닝과 SC2 클리닝으로 나뉜다
① SC-1 세정
APM (Ammonium peroxide mixture), 암모니아:과산화수소:물을 1:1:5 혼합, 75~90℃, 10~20 min
과산화수소의 강한 산화작용을 이용
표면 파티클, 유기물질, 일부 금속을 제거

② QDR (Quick Dump Rinse)
SC-1과 SC-2 사이 단계, 초순수로 헹굼. (2~3회)

③ SC-2 세정 (HPM 세정)
염산:과산화수소:물을 1:1:5로 혼합, 75~85℃
금속불순물 (중금속 및 알칼리 금속)을 과산화수소로 산화 후, 염산으로 제거
과산화수소에 의해 기판 표면에 chemical oxide가 자람 → OH-종단(termication)을 가져 hydrophilic됨.
이후 QDR 거쳐 diluted HF로 이송

④ DHF (Diluted HF)
세정 후 자연산화막과 화학적 산화막은 배선의 컨택저항 증가, 산화막 내 불순물에 의한 게이트 산화막 누설 전류 등 불량 발생 → DHF 단계, HF 원액을 초순수에 1:10~1:100 희석해 세정 완료
H+ termination을 갖게 되며 hydrophobic해짐. (파티클이 달라붙기 쉬워지기때문에, 다음 공정을 바로 진행)

 

드디어 반도체 공정 스터디가 끝이 났네요. 정말 별거 아닌데도 바빴네요😢
과연 이런 스펙이 도움이 될 지 모르겠지만, 취업에 도움이 되서 취뽀에 더 다가갈 수 있으면 좋겠습니다ㅎㅎ