[엔지닉] 반도체 8대 공정 빡공 스터디 첫 시작

안녕하세요, 동동이 입니다.
이번에 엔지닉에서 제공하는 반도체 8대 공정 빡공 스터디에 참여를 시작하려 하는데요.

반도체 8대 공정에 더 익숙해지려고 신청했습니다.
그리고, 학과 수업을 하면서 다 배운 내용이긴 하지만, 더 한번 복습하려는 차원에서 아주 좋은 수업이라 생각했어요.
물론 제가 취업하고 싶은 쪽이 반도체 쪽이기도 하고요.

무튼 1일차 데일리 미션 얼른 남기도록 하겠습니다 :)

1차시 인증샷

1일차 인증샷

1. 반도체의 주 재료가 되는 실리콘의 특성과 반도체에 실리콘을 사용하는 이유를 정리해보세요.

- 우선 실리콘은 4족 원소로, 원자 번호는 14번.
- 다이아몬드 입방체 구조를 가지고 있음.
- 격자 내 Si(실리콘) 원자 개수는 총 8개임.
- 따라, 원자 밀도는 총 \( 5\times 10^{22} cm^{-3} \) 임.
- 또, 원자 간 결합은 공유 결합임.

- 실리콘은 산화막 특성이 좋고 쉽게 성장 시킬 수 있음.
- 또, 적정 에너지 밴드 갭을 갖고 있음.
- 원재료를 얻기 쉽고 가격이 싸며, 고순도의 불순물 정제 기술이 발달해 있음.
- 녹는점이 높아 가공이 용이함.

2. MOSFET의 정의와 특징을 정리해보세요.

- MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 의 약자로, 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터 라는 뜻임.
- 구조는 Gate, Source, Drain, Substrate 4단자의 소자로 이루어져 있음.
- 전체적으로 Si 기판으로 이루어져 있으며, Substrate와 Source · Drain은 서로 반대 type으로 도핑되어 있음.
- MOSFET의 기능으로는 전체적으로 스위치 및 증폭기의 기능을 가짐.
- Channel의 형성을 통해 Source와 Drain 간의 전류를 제어하며, 이는 트랜지스터라 부름.
- Channel이 형성될 때의 Gate 전압을 문턱 전압(\(V_{th}\))이라 부름.
- MOSFET의 동작 영역으로는 차단영역, 선형영역, Pinch-off, 포화영역 으로 나뉘어짐.

자세한 MOSFET의 동작은 2일차에 정리합니다.